檢索結果：共58筆資料 檢索策略： "何清華".ccommittee (精準) and cdept.raw="電子工程系"
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此研究以反應式離子束濺鍍法於SiO2/Si基版及石英基板上沉積氧化銅/氧化亞銅薄膜，探討氬/氧流量及基板溫度對所沉積氧化銅/氧化亞銅薄膜之影響。研究結果顯示在300℃或400℃所沉積之氧化銅/氧化亞…
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本次論文研究主要是以使用Ti[OCH(CH3)2]4當前驅物，於垂直冷壁式有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統中成長垂直成長二氧化鈦(Titanium dioxide，TiO2)奈米晶體。首先藉由…
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此研究先以反應式離子束濺鍍法於SiO2基板上依不同的氧氬比沉積銅氧化物薄膜，由Ar:O2=3.5:2.5的比例沉積300 oC與400 oC的氧化銅和Ar:O2=4.2:0.7的比例沉積300 oC…
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本研究以反應式離子束濺鍍沉積摻氮氧化鋅薄膜，以鋅為靶材，同時通入氬氣、氧氣及氮氣，固定氬氣流量，探討氧氣和氮氣流量對摻氮氧化鋅薄膜的特性研究。實驗結果顯示當氧氣流量介於0.5 ~ 2.0 sccm，…
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二維材料，像是石墨烯和過渡金屬硫屬化合物已成為現今電子和光電應用中的重要趨勢。石墨烯是目前宇宙中已知最薄和高機械強度的物質。它具有高電子遷移率，零有效質量，高透光率和高電導率等許多優良的特性。石墨烯…
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本論文主要是探討量子侷限效應外層狀半導體具有不同厚度的二硫化鉬(MoS2)及二硫化鎢(WS2)奈米結構之電傳輸特性。研究結果發現利用簡單的機械剝離法所產生的奈米結構表現出比塊材晶體要高出了幾個數量級…
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本論文是以化學氣相傳導法利用三氯化碘 (ICl3) 和溴 (Br2) 為傳導劑成長ReS2來得到此二硫化錸半導體之晶體，同時對此系列晶體之特性藉由光學量測的方式對其特性加以研究及討論。由X-ray繞…
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本實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜，採用陽極層離子源同時通入氬氣以及氮氣，以氧化鋅為靶材，成功的製備出摻氮氧氧化鋅薄膜。陽極層離子源具高電流之特性，可以提高濺擊產率增加薄膜沉積速度，且氮…
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本實驗使用反應式離子束濺鍍法，以氧化鋅為緩衝層並於300度C下以石英及玻璃基板沉積含氮p型氧化鋅薄膜。XRD分析以氮流量0.5及5 sccm沉積之薄膜，5 sccm其(002)繞射峰值往小角度偏移而…
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本論文主要研究以氣態源分子束磊晶法成長之量子點與量子井複合結構之光學性質。吾人藉由光子調制反射光譜、光激發螢光光譜與表面光電壓光譜量測技術來探討其光學性質。光子調制反射光譜可以讓吾人分析砷化鎵之FK…